Please use this identifier to cite or link to this item:
https://sci.ldubgd.edu.ua/jspui/handle/123456789/17703Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Балицька, Валентина Олексіївна | - |
| dc.contributor.author | Горіна, Олена Михайлівна | - |
| dc.date.accessioned | 2026-04-30T16:13:06Z | - |
| dc.date.available | 2026-04-30T16:13:06Z | - |
| dc.date.issued | 2026-04-15 | - |
| dc.identifier.uri | https://sci.ldubgd.edu.ua/jspui/handle/123456789/17703 | - |
| dc.description.abstract | Сьогодні халькогенідні склуваті напівпровідники (ХСН) все більше і більше використовуються в новітній оптоелектроніці, фотоніці, телекомунікації, приладах оптичної пам’яті та промисловій сенсориці [2, 4]. Завдяки високій прозорості в інфрачервоній області, оптоволоконні пристрої зв’язку на основі ХСН широко застосовуються в цивільних, медичних та військових сферах, зокрема, в лазерах, як хімічні покриття, в скануючій мікроскопії та спектроскопії, в якості інфрачервоних джерел, підсилювачів та оптичних перемикачів [4]. | en_US |
| dc.language.iso | ua | en_US |
| dc.subject | оптоволоконні пристрої зв’язку | en_US |
| dc.subject | халькогенідні склуваті напівпровідники | en_US |
| dc.subject | оптоволоконні лазери, підсилювачі, світлові джерела, решітки та нелінійно-оптичні пристрої | en_US |
| dc.subject | ентальпія | en_US |
| dc.subject | дії гама-радіації | en_US |
| dc.title | Застосування халькогенідних склуватих напівпровідників для сенсорів зовнішнього впливу | en_US |
| dc.type | Other | en_US |
| Appears in Collections: | 2026 | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Цивільний захист в умовах війни.pdf | 6.8 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.