Please use this identifier to cite or link to this item: https://sci.ldubgd.edu.ua/jspui/handle/123456789/17703
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБалицька, Валентина Олексіївна-
dc.contributor.authorГоріна, Олена Михайлівна-
dc.date.accessioned2026-04-30T16:13:06Z-
dc.date.available2026-04-30T16:13:06Z-
dc.date.issued2026-04-15-
dc.identifier.urihttps://sci.ldubgd.edu.ua/jspui/handle/123456789/17703-
dc.description.abstractСьогодні халькогенідні склуваті напівпровідники (ХСН) все більше і більше використовуються в новітній оптоелектроніці, фотоніці, телекомунікації, приладах оптичної пам’яті та промисловій сенсориці [2, 4]. Завдяки високій прозорості в інфрачервоній області, оптоволоконні пристрої зв’язку на основі ХСН широко застосовуються в цивільних, медичних та військових сферах, зокрема, в лазерах, як хімічні покриття, в скануючій мікроскопії та спектроскопії, в якості інфрачервоних джерел, підсилювачів та оптичних перемикачів [4].en_US
dc.language.isouaen_US
dc.subjectоптоволоконні пристрої зв’язкуen_US
dc.subjectхалькогенідні склуваті напівпровідникиen_US
dc.subjectоптоволоконні лазери, підсилювачі, світлові джерела, решітки та нелінійно-оптичні пристроїen_US
dc.subjectентальпіяen_US
dc.subjectдії гама-радіаціїen_US
dc.titleЗастосування халькогенідних склуватих напівпровідників для сенсорів зовнішнього впливуen_US
dc.typeOtheren_US
Appears in Collections:2026

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Цивільний захист в умовах війни.pdf6.8 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.