Please use this identifier to cite or link to this item:
https://sci.ldubgd.edu.ua/jspui/handle/123456789/17703| Title: | Застосування халькогенідних склуватих напівпровідників для сенсорів зовнішнього впливу |
| Authors: | Балицька, Валентина Олексіївна Горіна, Олена Михайлівна |
| Keywords: | оптоволоконні пристрої зв’язку халькогенідні склуваті напівпровідники оптоволоконні лазери, підсилювачі, світлові джерела, решітки та нелінійно-оптичні пристрої ентальпія дії гама-радіації |
| Issue Date: | 15-Apr-2026 |
| Abstract: | Сьогодні халькогенідні склуваті напівпровідники (ХСН) все більше і більше використовуються в новітній оптоелектроніці, фотоніці, телекомунікації, приладах оптичної пам’яті та промисловій сенсориці [2, 4]. Завдяки високій прозорості в інфрачервоній області, оптоволоконні пристрої зв’язку на основі ХСН широко застосовуються в цивільних, медичних та військових сферах, зокрема, в лазерах, як хімічні покриття, в скануючій мікроскопії та спектроскопії, в якості інфрачервоних джерел, підсилювачів та оптичних перемикачів [4]. |
| URI: | https://sci.ldubgd.edu.ua/jspui/handle/123456789/17703 |
| Appears in Collections: | 2026 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Цивільний захист в умовах війни.pdf | 6.8 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.